摘要：集成電路芯片不斷向高密度、高性能和輕薄短小方向發(fā)展，發(fā)滿足IC封裝要求，圖形硅片的背面減薄成為半導(dǎo)體后半制程中的重要工序。隨著大直徑硅片的應(yīng)用，硅片的厚度相應(yīng)增大，而先進的封裝技術(shù)則要求更薄的芯片，超精密磨削作為硅片背面減薄主要工藝得到廣泛應(yīng)用。本文分析了幾種常用的硅片背面減薄技術(shù)，論述了的基于自旋轉(zhuǎn)磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工藝特點和關(guān)鍵技術(shù)，介紹了硅片背面磨削技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)和取得的新進展。
   關(guān)鍵字：硅片；背面減??；磨削；IC 　　
    1 引言 　　
    為了增大IC芯片產(chǎn)量，降低單元制造成本，要求IC的基礎(chǔ)材料硅片趨向大直徑化?，F(xiàn)在200mm硅片是主流產(chǎn)品，正在向300mm硅片發(fā)展，全世界已經(jīng)陸續(xù)建立了十幾條300mm硅片生產(chǎn)線，到2013年，預(yù)計將采用直徑450mm（18英寸）硅片。隨著硅片直徑增大，為了保證硅片在電路制作過程中具有足夠的強度，原始硅片（prime wafer）的厚度也相應(yīng)增加。直徑150mm和200mm硅片的厚度分別為625mm和725mm，而直徑300mm硅片平均厚度將達到775mm。另一方面，IC的技術(shù)進步日新月異，正在向高速化、高集成化、高密度化和高性能化的方向發(fā)展。微電子產(chǎn)品在集成度、速度和可靠性不斷提高的同時正向輕薄短小的方向發(fā)展，與此相適應(yīng)，新型的芯片封裝技術(shù)不斷涌現(xiàn)，這些先進的封裝技術(shù)所需要的芯片厚度越來越薄。早期的雙列直插式封裝（DIP）對應(yīng)芯片的厚度為600mm左右，BGA封裝所用的芯片厚度為375mm，而（AFCP）所用的芯片厚度為125mm左右，一些智能卡所用的芯片厚度已減到100mm以下，高性能電子產(chǎn)品的立體封裝甚至需要厚度小于50mm超薄的芯片。 　　
    2 硅片背面減薄技術(shù) 　　
    硅片上電路層的有效厚度一般為5-10mm,為了保證其功能，有一定的支撐厚度是必要的，因此，硅片的厚度極限為20-30mm。這只占總厚度的一小部分，占總厚度90％左右的襯底材料是為了保證硅片在制造、測試和運送過程中有足夠的強度。因此，電路層制作完成后，需要對硅片進行背面減?。╞ackside thinning），使其達到所需的 對硅片進行劃片（Dicing）加工，形成一個個減薄的裸芯片。減薄后的芯片有如下優(yōu)點：
    （1）提高熱擴散效率隨著半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜、集成度越來越高，晶體管體積不斷減小，散熱已逐漸成為影響芯片性能和壽命的關(guān)鍵因素，薄的芯片更有利于散熱。
    （2）減小芯片封裝體積微電子產(chǎn)品日益向輕薄短小的方向發(fā)展，減小芯片封裝體積是適應(yīng)這一發(fā)展趨勢的必由之路。
    （3）提高機械性能減薄后的芯片機械性能顯著提高，硅片越薄，其柔韌性越好，受外力沖擊引起的應(yīng)力也越小。
    （4）氣性能晶片的厚度越薄元件之間的連線將越短，元件導(dǎo)通電阻將越低，信號延遲時間越短，從而實現(xiàn)更高的性能。
    （5）減輕劃片加工量減薄以后再切割，可以減小劃片（Dicing）時的加工量，降低芯片崩邊的發(fā)生率。 　　
    未來硅片背面減薄將趨向20-30mm的極限厚度。當(dāng)芯片厚度小于50mm時，可以彎曲到一定程度而不斷裂，特殊的超薄芯片甚至可以隨意彎曲，可用來做成閃存芯片和電子標(biāo)簽等。 　　
    目前，硅片的背面減薄技術(shù)主要有磨削、研磨、化學(xué)機械拋光（CMP）、干式拋光（dry polishing）、電化學(xué)腐蝕（electrochemical etching）、濕法腐蝕（wet etching）、等離子輔助化學(xué)腐蝕（PACE）、常壓等離子腐蝕 （atmospheric downstream plasma etching,ADPE）等，其中最常用的背面減薄技術(shù)有磨削、CMP、濕法腐蝕、ADPE和干式拋光五種。 　　
    磨削的加工效率高，加工后的硅片平整度好，成本低，但是硅片表面會產(chǎn)生深達幾微米的損傷層，導(dǎo)致硅片的強度降低，容易發(fā)生碎片，磨削表面還存在殘余應(yīng)力,使硅片發(fā)生翹曲,給搬運和后續(xù)處理帶來困儺，一般需要后續(xù)工藝來消除損傷層和殘余應(yīng)力，化學(xué)機械拋光是利用化學(xué)和機械復(fù)合作用去除材料的，硅片表面的損傷很小，缺點是材料去除率低、工作壓力高。濕法蝕刻是將硅片浸入酸性化學(xué)溶液（HN03/HF/HP04）中，通過化學(xué)反應(yīng)去除硅片表層材料,硅片表面無損傷和無晶格位錯，能極大地提高硅片的強度，減小翹曲,其缺點是需 對硅片的正面進行保護，對磨削條紋的校正能力弱，不適合加工有凸起硅片（bumped wafer），腐蝕速度快去除率為5-40mm/min，腐蝕速度不均勻，為腐蝕量的5%-10％，環(huán)境污染問題。常壓等離子腐蝕是最新發(fā)展起來的、利用磁力控制的在大氣壓力下工作的一種純化學(xué)作用的干式腐蝕技術(shù)，在氬氣環(huán)境下ADP系統(tǒng)將氣體（CF-4引入等離子區(qū)，使之100％分解，F(xiàn)與硅片表面的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成SiF 4，達到去除材料的目的。加工時，利用Bernoulli效應(yīng)產(chǎn)生的壓力將硅片懸置于等離子區(qū)上方，硅片的正面不必像濕式腐蝕那樣需用膠帶保護，因此，適合加工較薄的硅片，也適合加工有凸起的硅片。ADPE能夠去除硅片背面由于磨削引起的損傷層，加工速度為1-4mm／min，背面去除量可達50-100mm，加工后的表面平整性比濕式腐蝕好。干式拋光是新出現(xiàn)的去除硅片應(yīng)力的技術(shù)，其加工原理類似于硅片磨削，與磨削不同之處是用纖維和金屬氧化物制成的拋光輪取代了金剛石砂輪。干式拋光能有效地去除硅片背面磨削引起的殘余應(yīng)力，成本低，但加工效率低，加工速度僅為1mm／min，只適合去除較淺的損傷層。 　
    硅片背面減薄過程。硅片的原始厚度一般為675-775mm，最終要減薄到100-200mm，有時甚至要減薄到50mm。在硅片減薄工藝中一般不能將硅片磨削到很薄的尺寸，因為如果將硅片直接磨削到芯片封裝所需的厚度，由于機械損傷層的存在，在運輸和后序工藝中碎片率非常高。因此，實際應(yīng)用中，對于200mm的硅片，如果需要100mm的薄硅片，首先先用磨削的方式去除絕大部分余量，背面減薄到180mm左右，然后CMP、濕法腐蝕、ADPE和干式拋光中的一種或兩種消除磨削引起的損傷層和殘余應(yīng)力，得到無損傷的片表面。因此，一般硅片的背面減薄可以有背面磨削+CMP、背面磨削+濕式化學(xué)腐蝕、背面磨削+ADPE、背面磨削+干式拋光四種工藝方案。 　　
    3 三片背面磨削減薄技術(shù) 　　 
    3．1 硅片背面磨削減薄的原理 　　
    早在上個世紀70年代，就已經(jīng)采用旋轉(zhuǎn)工作臺磨削（surface gring on a rotary table）法進行直徑100mm以下硅片的背面減薄。隨著硅片直徑的增大，對硅片背面減薄的要求越來高，旋轉(zhuǎn)工作臺磨削技術(shù)具有一定的局限性。1984年S．Matsui提出了硅片自旋轉(zhuǎn)磨削（wafer ro□tat□ing grinding）法，并開始逐漸取代旋轉(zhuǎn)工作臺磨削。 硅片自旋轉(zhuǎn)磨削法的加工原理。采用略大于硅片的工件轉(zhuǎn)臺，硅片通過真空吸盤夾持在工件轉(zhuǎn)臺的中心，杯形金剛石砂輪工作面的內(nèi)外圓周中線調(diào)整到硅片的中心位置，硅片和砂輪繞各自的軸線回轉(zhuǎn)，進行切入磨削（in-feed grinding）。磨削深度tw與砂輪軸向進給速度f和硅片轉(zhuǎn)速nw關(guān)系為：tw=f／nw（1） 　
    硅片自旋轉(zhuǎn)磨削法的優(yōu)點：
    （1）可實現(xiàn)延性域磨削。在加工脆性材料時，當(dāng)磨削深度小于某一臨界值時，可以實現(xiàn)延性域磨削。對于自旋轉(zhuǎn)磨削，由公式（1）可知，對給定的軸向進給速度，如果工作臺的轉(zhuǎn)速足夠高，就可以實現(xiàn)極微小磨削深度。
    （2）可實現(xiàn)高效磨削。由公式（1）可知，通過同時提高硅片轉(zhuǎn)速和砂輪軸向進給速度，可以在保持與普通磨削同樣的磨削深度情況下，達到較高的材料去除率，適用于大余量磨削。
    （3）砂輪與硅片的接觸長度、接觸面積、切入角不變，磨削力恒定，加工狀態(tài)穩(wěn)定，可以避免硅片出現(xiàn)中凸和塌邊現(xiàn)象。
    （4）磨床只有沿磨削主軸方向的進給運動，有利于提高機床的剛度。
    （5）通過調(diào)整砂輪軸線和工件軸線之間的夾角，可以補償由于機床變形引起的砂輪軸線和工作臺軸線不平行。
    （6）砂輪轉(zhuǎn)速遠高于硅片轉(zhuǎn)速，因此砂輪的磨損對硅片平整度的影響小。
    （7）自旋轉(zhuǎn)磨削每次加工一個硅片，磨削進給不受硅片與硅片之間加工余量不均勻的限制。
    （8）硅片自旋轉(zhuǎn)磨削設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊，容易實現(xiàn)多工位集成，甚至可以和拋光裝置集成為一體，實現(xiàn)磨削拋光一體化。 　　
    由于上述優(yōu)點，現(xiàn)在直徑200mm以上的大尺寸硅片背面磨削（backgrinding）大都采用基于硅片自旋轉(zhuǎn)磨削原理的超精密磨削技術(shù)。 　　
    3．2 硅片背面磨削的工藝過程 　　
    硅片背面磨削一般分為兩步：粗磨和精磨。在粗磨階段，一般采用粒度46#-500#的金剛石砂輪，軸向進給速度為100-500mm／min，磨肖深度較大，一般為0．5-lmm。目的是迅速地去除硅片背面絕大部分的多余材料（約占加工余量的90％）。精磨時，加工余量幾微米直至十幾微米，采用粒度2000#-4000#的金剛石砂輪，軸向進給速度 0.5-10mm／min。主要是消除粗磨時形成的損傷層，達到所要求的厚度，在精磨階段，材料以延性域模式去除，硅片表面損傷明顯減小。 　　
    3．3 硅片背面磨削的性能特點
    （1）加工效率磨削是效率最高、成本最低的硅片背面減薄方法，用磨削的方式可以迅速地去除硅片背面絕大部分的加工余量。如對于原始厚度為775mm的300mm直徑硅片，將其減到厚度200mm所需要的時間約為1分鐘。
    （2）加工精度硅片背面磨削能夠達到極高的厚度均勻性，對于300mm硅片，厚度變動量甚至可達到0.5mm以下；表面粗糙度Ra可以達到幾個納米。
    （3）表面和亞表面損傷硅片背面磨削是利用機械作用實現(xiàn)材料去除的，不可避免地會在硅片表面和亞表面產(chǎn)生損傷。亞表面損傷是硅片背面減薄最重要的指標(biāo)之一。硅片磨削后的表面損傷分為3層：頂層為非晶層，并分布有微觀裂紋，接下來是較深的晶格位錯層，然后是彈性變形